⑴ 晶體管元件裂紋是什麼原因
第一種是擠壓裂紋，它產生在元件拾放在 PCB 板上的操作過程。第二種是由於 PCB 板彎曲或扭曲引起的變形裂紋。擠壓裂紋主要是由不正確的拾放機器參數設置引起的，而彎曲裂紋主要由元件焊接上 PCB 板後板的過度彎曲引起的。
⑵ 電磁爐IGBT感測器開路短路什麼原因
igbt學名叫絕緣柵雙極型晶體管
開路短路原因：一
元器件質量
二
過熱
三
保護電路出問題
⑶ 試述雙極性晶體管產生一次擊穿的原因
閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up）是半導體器件失效的主要原因之一。如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪涌電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、EOS（電過載）和器件損壞。 MOS工藝含有許多內在的雙極型晶體管。在CMOS工藝下，阱與襯底結合會導致寄生的n-p-n-p結構。這些結構會導致VDD和VSS線的短路，從而通常會破壞晶元，或者引起系統錯誤。 例如，在n阱結構中，n-p-n-p結構是由NMOS的源，p襯底，n阱和PMOS的源構成的。當兩個雙極型晶體管之一前向偏置時（例如由於流經阱或襯底的電流引起），會引起另一個晶體管的基極電流增加。這個正反饋將不斷地引起電流增加，直到電路出故障，或者燒掉。 可以通過提供大量的阱和襯底接觸來避免閂鎖效應。閂鎖效應在早期的CMOS工藝中很重要。不過，現在已經不再是個問題了。在近些年，工藝的改進和設計的優化已經消除了閂鎖的危險。 Latch up 的定義 ? Latch up 最易產生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾發生在內部電路 ? Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流 ? 隨著IC製造工藝的發展, 封裝密度和集成度越來越高,產生Latch up的可能性會越來越大 ? Latch up 產生的過度電流量可能會使晶元產生永久性的破壞, Latch up 的防範是IC Layout 的最重要措施之一
⑷ 晶體管壞了有幾種原因
一般就這么幾個原因：
1、電流過大溫升太高導致燒毀；
2、其次是電壓過高導致擊穿；
3、還有就是工作頻率過高，導致無法正常工作或者燒毀。
⑸ 晶體管工作受溫度影響是由於溫度升高什麼增加所致
半導體器件對溫度最敏感。在高溫條件下，晶體管的HFE隨溫度升高而增大，從而引起工作點漂移、增益不穩，造成電子儀器性能不穩定，產生漂移失效。
由於溫度升高，使晶體管Icbo、Iceo反向電流增大，又會使Ic電流增大。Ic增大又促使晶體Icbo、Iceo、Ic電流增加，形成惡性循環，直到晶體管燒毀，使儀器造成嚴重失效；晶體管在低溫下工作，hFE將隨溫度的降低而減。在低溫-55℃條件下，一般晶體管的增益平均下降40%左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效；過高溫度對電容器的影響，主要是降低使用壽命，當環境溫度超過電容器的允許工作溫度時，硬度電容工作點，溫度每升10℃，電容器的使用壽命就要降低一半。
⑹ e結開路為什麼晶體管損壞
表面氧化引起的。晶體管子內部引線鍵合點表面長期氧化而表面氧化使電阻增大，導致熱量過大而使e結開路，長此以往晶體管會損壞。
⑺ 線路常見開路故障有哪些特點通常有哪些原因如何排除
開路也稱斷路，其故障特點是合上電源開關後燈不亮。相線、零線均可能出現開路。電路開路，電流不能形成迴路，電氣設備不能運行。
引起開路故障通常有以下原因。
①導線接線端或連接點松脫。
②線路受鼠害被咬斷。
③導線受機械外力損傷而斷開。
④導線與所供負荷不相適應，長期過負荷，過熱損壞絕緣，造成短路燒斷而斷路。
⑤導線在穿管或敷設中受有硬傷，不僅會使局部絕緣層受損，小截面導線更易斷裂，或運行一段時間後斷裂。
排除方法：根據故障原因，採取相應的措施或換線。一般在接線盒、箱中均有適當余度，重新接通電路。
⑻ 電子元器件測試中開路一般是什麼原因造成的
電子組裝測試包括兩種基本類型:裸板測試和載入測試。裸板測試是在完成線路板生產後進行，主要檢查短路、開路、網表的導通性。在工藝過程中還有許多其他的檢查和驗證方法。載入測試在組裝工藝完成後進行，它比裸板測試復雜。
組裝階段的測試包括：生產缺陷分析(MDA)、在線測試(ict)和功能測試(使產品在應用環境下工作)及其三者的組合。最近幾年，組裝測試還增加了自動光學檢測(AOI)和自動X射線檢測。它們可提供電路板的靜態圖像及不同平面上的X射線電路板的分層圖像，從而確定虛焊及焊點橋接缺陷。
研究測試策略的目的在於，要找到適合某一種產品的必不可少的組合測試方案。在開始設計工藝前，要定義實施所需測試的簡單策略。在產品研發周期的早期考慮產品的可測性問題，而不是在後期考慮。這會大大降低從最初設計到終測的每個節點的測試成本，並獲得較高的節點可測試性。
通常的測試有五種類型，它們主要的功能如下：
裸板測試:檢查未安裝元器件的電路板上的開路和短路缺陷；
生產缺陷分析：檢查已安裝元器件的電路板上焊點的短路和開路缺陷；
在線測試：認證每個單個元器件的運作；
功能測試：認證電路的功能模塊的運作；
組合測試：在線測試和功能測試的組合測試。圖1給出了多種測試類型的實例，它們有不同的測試條件。
最佳的測試策略能確保正在執行的每一種測試確實可行。即使生產測試過程在研發周期開始時就已經很好地定義了，但是在設計完成以後，仍然可以改變。從一個已經成功地應用在數百個高密度的設計案例中的通用測試策略可以看到，它影響到以下各方面：
元件通孔的布局要有策略性；
要提供每個布線網路中每個節點的測試接觸點；
要接觸到電路板兩面的每個節點；
網格基準元件和通孔的布局；
正確的測試焊盤形狀和間距。
即使在最高密度的設計中，也僅當在設計周期的每個環節堅持測試策略時，才能實現對電路板的每個面、每種布線網路和每個節點的100％測試。要判斷什麼是最好的檢測和測試策略？取決於檢測工藝的可行性、測試策略的經濟性分析、產品的生命周期和進入市場的時間要求。
確定最佳測試策略的另一種方法是評估所有的檢測工藝以確定缺陷范圍和測試成本。在產品進入市場之前，在設計環節中發現和解決存在的這些問題。
⑼ 三極體的故障有哪些，其表象是什麼（短路、斷路還是其他），造成這種故障的內在原因是什麼
三極體的故障有極間短路、極間斷路、極間接觸不良、虛焊、炸裂、老化放大倍數變小等等。
造成這種故障並無固定內在原因, 在正常使用情況下,電子元件多因本身質量存在問題所致。因為電子產品的合格率一般為%99.99,有的是%99.999為合格。即一台電子產品有二十種共一萬個元器件,其中至少有一個(最多可能是二十個)是不合格的,如果碰巧你買的產品有那個萬分之一時,只能自認倒霉。
⑽ 晶閘管擊穿原因有哪些
晶閘管擊穿主要原因：過電壓、過電流、短路等原因。
在啟動過程中軟啟動發出「孜孜」的聲音可能是出現短路了。一般正常過電流的話不會出現這樣的聲音。
首先你們生產的產品導電性能怎麼樣？如果含導電粉塵多的話是很容易造成短路的。再就是檢查一下你的線路，是不是有導線破皮現象。
還有一種可能就是諧波引起的。