Ⅰ MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。
一、先确定MOS管的引脚：
1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；
(1)怎样测量mos的图片扩展阅读
MOS管的主要参数
1、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、 直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；
（2）漏源极间的穿通击穿；
有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。
4、栅源击穿电压BVGS
在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声系数NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
Ⅱ MOS值的测量方法
常用的MOS分评价方法包括主观MOS分评价和客观MOS分评价。
主观MOS分采用ITU-T P.800和P.830建议书，由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比，得出MOS分，最后求平均值。
而客观MOS评价则采用ITU-T P.862建议书提供的PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)方法，由专门的仪器（如Agilent的VQT测试仪）或软件进行测试。
Ⅲ 场效应管的好坏如何测量
数字万用表：把场效应管有字一面面向自己，管脚从左向右分别为G D S。万用表用二极管挡。黑笔接S极 红笔碰一下G极。然后把红笔接D极会发现万用表有读数。则场效应管完好。这种方法只适合n沟道场效应管。而P沟道场效应管则红笔和黑笔对就行了。如没有万用表可以用直流电源测试，方法如下：用12V一下直流电都可以，首先电源负极接S极，然后正极接12v的电灯泡。灯泡另一端接D极，然后用一导线接电源正极，用导线接触一下G极。此时场效管S D极被触发导通，灯泡被点亮，如果用手同时接触G D S则S D极被关断，灯泡熄灭。这可以认为场效应管是好的。 手机打的好幸苦…………
Ⅳ 如何用万用表检测MOS管是好是坏
加上MOS管的开启电压很低，只有零点几伏，所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D，黑表笔接G，则相当于给G极施加反向电压，D-S间就截止了。 N沟道管：数字万用表置于二极管通断档，黑表笔接S极不动，红表笔碰触一下G极，然后再接D极，此时应该呈导通状态；然后红表笔接D极不动，黑表笔碰触一下G极再返回接触S极，此时应该不通。 P沟道管：方法跟检测N沟道管一样，只是红黑表笔对调就可以了。因为N-MOS管和P-MOS管二者极性正好相反。
Ⅳ 怎么用万用表测量MOS管的好坏
以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。
1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法
2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。
3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。
然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。
4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。
在测量完5N60C的D-S两极，并且确实是好的之后，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。
由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏。
5.5N60C的G-S两极间的电容充电后，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。
6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。
上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。
(5)怎样测量mos的图片扩展阅读：
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
Ⅵ 如何检测MOS管是否烧坏最简单的步骤
MOS管的检测主要是判断MOS管短路、漏电、放大、断路。它的操作步骤如下： ①把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。 ②用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。 ③把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。 ④最后用一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS管完好反之为MOS管已烧坏。
Ⅶ MOS管怎样测量！
用万用表的Rx100档测，G（栅极）与其它两极的电阻均为无穷大。再用万用表的Rx10K档测D（漏极）与S(源极），正向电阻约为5K左右，反向电阻大于500K。