⑴ 晶体管元件裂纹是什么原因
第一种是挤压裂纹，它产生在元件拾放在 PCB 板上的操作过程。第二种是由于 PCB 板弯曲或扭曲引起的变形裂纹。挤压裂纹主要是由不正确的拾放机器参数设置引起的，而弯曲裂纹主要由元件焊接上 PCB 板后板的过度弯曲引起的。
⑵ 电磁炉IGBT传感器开路短路什么原因
igbt学名叫绝缘栅双极型晶体管
开路短路原因：一
元器件质量
二
过热
三
保护电路出问题
⑶ 试述双极性晶体管产生一次击穿的原因
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。 MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管。在CMOS工艺下，阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路，从而通常会破坏芯片，或者引起系统错误。 例如，在n阱结构中，n-p-n-p结构是由NMOS的源，p衬底，n阱和PMOS的源构成的。当两个双极型晶体管之一前向偏置时（例如由于流经阱或衬底的电流引起），会引起另一个晶体管的基极电流增加。这个正反馈将不断地引起电流增加，直到电路出故障，或者烧掉。 可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。不过，现在已经不再是个问题了。在近些年，工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。 Latch up 的定义 ? Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路 ? Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流 ? 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大 ? Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一
⑷ 晶体管坏了有几种原因
一般就这么几个原因：
1、电流过大温升太高导致烧毁；
2、其次是电压过高导致击穿；
3、还有就是工作频率过高，导致无法正常工作或者烧毁。
⑸ 晶体管工作受温度影响是由于温度升高什么增加所致
半导体器件对温度最敏感。在高温条件下，晶体管的HFE随温度升高而增大，从而引起工作点漂移、增益不稳，造成电子仪器性能不稳定，产生漂移失效。
由于温度升高，使晶体管Icbo、Iceo反向电流增大，又会使Ic电流增大。Ic增大又促使晶体Icbo、Iceo、Ic电流增加，形成恶性循环，直到晶体管烧毁，使仪器造成严重失效；晶体管在低温下工作，hFE将随温度的降低而减。在低温-55℃条件下，一般晶体管的增益平均下降40%左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效；过高温度对电容器的影响，主要是降低使用寿命，当环境温度超过电容器的允许工作温度时，硬度电容工作点，温度每升10℃，电容器的使用寿命就要降低一半。
⑹ e结开路为什么晶体管损坏
表面氧化引起的。晶体管子内部引线键合点表面长期氧化而表面氧化使电阻增大，导致热量过大而使e结开路，长此以往晶体管会损坏。
⑺ 线路常见开路故障有哪些特点通常有哪些原因如何排除
开路也称断路，其故障特点是合上电源开关后灯不亮。相线、零线均可能出现开路。电路开路，电流不能形成回路，电气设备不能运行。
引起开路故障通常有以下原因。
①导线接线端或连接点松脱。
②线路受鼠害被咬断。
③导线受机械外力损伤而断开。
④导线与所供负荷不相适应，长期过负荷，过热损坏绝缘，造成短路烧断而断路。
⑤导线在穿管或敷设中受有硬伤，不仅会使局部绝缘层受损，小截面导线更易断裂，或运行一段时间后断裂。
排除方法：根据故障原因，采取相应的措施或换线。一般在接线盒、箱中均有适当余度，重新接通电路。
⑻ 电子元器件测试中开路一般是什么原因造成的
电子组装测试包括两种基本类型:裸板测试和加载测试。裸板测试是在完成线路板生产后进行，主要检查短路、开路、网表的导通性。在工艺过程中还有许多其他的检查和验证方法。加载测试在组装工艺完成后进行，它比裸板测试复杂。
组装阶段的测试包括：生产缺陷分析(MDA)、在线测试(ict)和功能测试(使产品在应用环境下工作)及其三者的组合。最近几年，组装测试还增加了自动光学检测(AOI)和自动X射线检测。它们可提供电路板的静态图像及不同平面上的X射线电路板的分层图像，从而确定虚焊及焊点桥接缺陷。
研究测试策略的目的在于，要找到适合某一种产品的必不可少的组合测试方案。在开始设计工艺前，要定义实施所需测试的简单策略。在产品研发周期的早期考虑产品的可测性问题，而不是在后期考虑。这会大大降低从最初设计到终测的每个节点的测试成本，并获得较高的节点可测试性。
通常的测试有五种类型，它们主要的功能如下：
裸板测试:检查未安装元器件的电路板上的开路和短路缺陷；
生产缺陷分析：检查已安装元器件的电路板上焊点的短路和开路缺陷；
在线测试：认证每个单个元器件的运作；
功能测试：认证电路的功能模块的运作；
组合测试：在线测试和功能测试的组合测试。图1给出了多种测试类型的实例，它们有不同的测试条件。
最佳的测试策略能确保正在执行的每一种测试确实可行。即使生产测试过程在研发周期开始时就已经很好地定义了，但是在设计完成以后，仍然可以改变。从一个已经成功地应用在数百个高密度的设计案例中的通用测试策略可以看到，它影响到以下各方面：
元件通孔的布局要有策略性；
要提供每个布线网络中每个节点的测试接触点；
要接触到电路板两面的每个节点；
网格基准元件和通孔的布局；
正确的测试焊盘形状和间距。
即使在最高密度的设计中，也仅当在设计周期的每个环节坚持测试策略时，才能实现对电路板的每个面、每种布线网络和每个节点的100％测试。要判断什么是最好的检测和测试策略？取决于检测工艺的可行性、测试策略的经济性分析、产品的生命周期和进入市场的时间要求。
确定最佳测试策略的另一种方法是评估所有的检测工艺以确定缺陷范围和测试成本。在产品进入市场之前，在设计环节中发现和解决存在的这些问题。
⑼ 三极管的故障有哪些，其表象是什么（短路、断路还是其他），造成这种故障的内在原因是什么
三极管的故障有极间短路、极间断路、极间接触不良、虚焊、炸裂、老化放大倍数变小等等。
造成这种故障并无固定内在原因, 在正常使用情况下,电子元件多因本身质量存在问题所致。因为电子产品的合格率一般为%99.99,有的是%99.999为合格。即一台电子产品有二十种共一万个元器件,其中至少有一个(最多可能是二十个)是不合格的,如果碰巧你买的产品有那个万分之一时,只能自认倒霉。
⑽ 晶闸管击穿原因有哪些
晶闸管击穿主要原因：过电压、过电流、短路等原因。
在启动过程中软启动发出“孜孜”的声音可能是出现短路了。一般正常过电流的话不会出现这样的声音。
首先你们生产的产品导电性能怎么样？如果含导电粉尘多的话是很容易造成短路的。再就是检查一下你的线路，是不是有导线破皮现象。
还有一种可能就是谐波引起的。