㈠ 数字万用表如何测GFP5n60场效应管好坏用何型好替换 以及此管管脚的分布。
1、数字万用表用二极管档”蜂鸣档“，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。
2、5n60场效应管, N沟道形，600V4.5A参数, 可以用6N60 7N60 8N60 11N60等其他场效应管替换。
3、场效应管字朝人放正，G-D-S排列。第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。5N60是N沟道MOS场效应管，G栅极与DS两极不通（绝缘，耐压小于30V）。DS之间有一个寄生二极管（S→D）。
(1)怎样测量5n60f管脚视频扩展阅读：
场效应管作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
㈡ 如何用万用表检测MOS管是好是坏
以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。
1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法
6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。
上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。
(2)怎样测量5n60f管脚视频扩展阅读：
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。