1. u盘里的文件如何排序
upp盘里文件夹中文件夹和文件的排序，是以文件名称的拼音字母顺序，然后是数字的顺序排序的。通常按下面的方法处理：
1、在所有文件夹前面加二位递增的数字。如有四个文件夹，分别的办公文件、个人文件、照片、临时文件，则分别修改为办公文件、个人文件、照片、临时文件。这样处理顺序就不会变了。
2、如果文件比较多，建议三位数字。在文件夹空白处右击，选择排列顺序为名称，也是默认的排序方式，只要不修改就不会变化。
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2. U盘内视频如何排序
最好的方式是把视频文件名字前加上数字排序。因为文件拷贝顺序没法更改，读取顺序可以稍作调整。文件和文件夹是以名称的字母顺序、数字等等先后顺序自动排列。所以只要重命名，按排名顺序要求修改名称就可以了。
例如把U盘里的视频文件名前加001、002、003、······· 。然后右键单击鼠标，选择“按文件名排序“即可。
(2)怎样使u盘里的视频排序扩展阅读：
存储原理
计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号（加入分配、核对、堆栈等指令），读写到USB芯片适配接口，通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。
EEPROM数据存储器，其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值，栅晶体管的结电容可长时间保存电压值，断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传输电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。
这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。
而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
3. U盘上视频怎样排序
最好的方式是把视频文件名字前加上数字排序。因为文件拷贝顺序没法更改，读取顺序可以稍作调整。文件和文件夹是以名称的字母顺序、数字等等先后顺序自动排列。所以只要重命名，按排名顺序要求修改名称就可以了。
例如把U盘里的视频文件名前加001、002、003、······· 。然后右键单击鼠标，选择“按文件名排序“即可。
(3)怎样使u盘里的视频排序扩展阅读：
存储原理
计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号（加入分配、核对、堆栈等指令），读写到USB芯片适配接口，通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。
EEPROM数据存储器，其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值，栅晶体管的结电容可长时间保存电压值，断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传输电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。
这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。
而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。