Ⅰ MOS管用數字萬用表怎麼測其好壞及引腳
用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例。
一、先確定MOS管的引腳：
1、先對MOS管放電，將三個腳短路即可；
(1)怎樣測量mos的圖片擴展閱讀
MOS管的主要參數
1、開啟電壓VT
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、 直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3.、漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；
（2）漏源極間的穿通擊穿；
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID。
4、柵源擊穿電壓BVGS
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5、低頻跨導gm
在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵MOS管放大能力的一個重要參數
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6、導通電阻RON
導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內
7、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間
8、低頻雜訊系數NF
雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數
場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
Ⅱ MOS值的測量方法
常用的MOS分評價方法包括主觀MOS分評價和客觀MOS分評價。
主觀MOS分採用ITU-T P.800和P.830建議書，由不同的人分別對原始語料和經過系統處理後有衰退的語料進行主觀感覺對比，得出MOS分，最後求平均值。
而客觀MOS評價則採用ITU-T P.862建議書提供的PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)方法，由專門的儀器（如Agilent的VQT測試儀）或軟體進行測試。
Ⅲ 場效應管的好壞如何測量
數字萬用表：把場效應管有字一面面向自己，管腳從左向右分別為G D S。萬用表用二極體擋。黑筆接S極 紅筆碰一下G極。然後把紅筆接D極會發現萬用表有讀數。則場效應管完好。這種方法只適合n溝道場效應管。而P溝道場效應管則紅筆和黑筆對就行了。如沒有萬用表可以用直流電源測試，方法如下：用12V一下直流電都可以，首先電源負極接S極，然後正極接12v的電燈泡。燈泡另一端接D極，然後用一導線接電源正極，用導線接觸一下G極。此時場效管S D極被觸發導通，燈泡被點亮，如果用手同時接觸G D S則S D極被關斷，燈泡熄滅。這可以認為場效應管是好的。 手機打的好幸苦…………
Ⅳ 如何用萬用表檢測MOS管是好是壞
加上MOS管的開啟電壓很低，只有零點幾伏，所以此時測量D-S間導通狀態就顯示導通了。如果紅表筆接D，黑表筆接G，則相當於給G極施加反向電壓，D-S間就截止了。 N溝道管：數字萬用表置於二極體通斷檔，黑表筆接S極不動，紅表筆碰觸一下G極，然後再接D極，此時應該呈導通狀態；然後紅表筆接D極不動，黑表筆碰觸一下G極再返回接觸S極，此時應該不通。 P溝道管：方法跟檢測N溝道管一樣，只是紅黑表筆對調就可以了。因為N-MOS管和P-MOS管二者極性正好相反。
Ⅳ 怎麼用萬用表測量MOS管的好壞
以N溝道MOS場效應管5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。
1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法
2.用數字萬用表二極體檔正向測量5N60C的D-S兩極。
測量5N60C好壞時，首先將萬用表量程開關調至二極體檔，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極，若是好的管子，萬用表顯示為「OL」，即溢出（見上圖）。
3.用數字萬用表二極體檔反向測量5N60C的D-S兩極。
然後調換紅黑表筆，再去測量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數為一個硅二極體的正向壓降（見上圖）。
若MOS場效應管內部D-S兩極之間的寄生二極體擊穿損壞，用二極體檔測量時，萬用表顯示的讀數接近於零。
4.用萬用表的二極體檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對於N溝道MOS場效應管充電時，紅表筆應接管子的G極，黑表筆接管子的S極。
在測量完5N60C的D-S兩極，並且確實是好的之後，然後用二極體檔給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電。
由於MOS場效應管的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐，1GΩ＝1000MΩ），數字萬用表二極體檔的開路測量電壓約為2.8～3V，故用二極體檔的測量電壓給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電後，可以使MOS場效應管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個方法可以測量場效應管G-S兩極之間是否損壞。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電後，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。
上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據。對於P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。
(5)怎樣測量mos的圖片擴展閱讀：
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
Ⅵ 如何檢測MOS管是否燒壞最簡單的步驟
MOS管的檢測主要是判斷MOS管短路、漏電、放大、斷路。它的操作步驟如下： ①把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現象。 ②用一隻100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上，然後把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，由於電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。 ③把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，如果移開電阻後表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大，則MOS管漏電，不變則完好。 ④最後用一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，如果指針立即返回無窮大，則MOS管完好反之為MOS管已燒壞。
Ⅶ MOS管怎樣測量！
用萬用表的Rx100檔測，G（柵極）與其它兩極的電阻均為無窮大。再用萬用表的Rx10K檔測D（漏極）與S(源極），正向電阻約為5K左右，反向電阻大於500K。