Ⅰ 如何通过PWM波实现控制电机转速
您好，我研究电机多年！现为您解答：可以这样说，pwm对步进电机几乎没什么太大作用，因为步进电机不像直流电机那样通过改变电压来改变转速，步进电机是有工作时序的，而且步进电机需要驱动电路的，你输入的pwm信号对驱动芯片来说只是个时序信号，最终输出的电压大小还是驱动电路实现的，所以用pwm调节步进电机简直就是画蛇添足，瞎给自己找麻烦！如果想改变步进电机的速度可以通过改变每两个脉冲之间的延时时间来实现。如果想改变步进电机的扭矩可以通过改变步进电机的工作节拍来实现！一般单四拍力矩最小，双四拍力矩最大，半步8拍力矩稍小于双四拍，但是步进分辨率要高一倍！
望采纳，谢谢！
Ⅱ MOS管该如何精准控制电流
是通过精准控制栅极电压来实现的。
有空的话，网络下，多多主动去了解相关知识，没有坏处的。
Ⅲ UC3842控制的开关电源中，开关管的导通和截止时间是怎么调节的
1、设：输出电压变化升高，采样电位器输出电压也跟着升高，假设此电压被加在三极管的基级，那么三极管的C\E级之间电流增加，C级电压降低，此电压被反馈到3843的反馈端。可以用来控制内部锯齿波电路的充放电时间。然后就可以控制方波的宽度了。输出受控的方波信息加在MOS管的栅级，就可以了
2、然后再从MOS管的漏极取出电流信息，通过另外的端口返回到3843.中，保证不同负载情况下的稳压，而且可以做到恒功率输出。
Ⅳ 请教如何让MOS管延时1秒后导通
在MOS管栅极与源极并个大电容即可，电容充满电MOS才导通
Ⅳ 想通过二极管两端的电压变化控制mos通断
用光电耦合控制MOS管
Ⅵ LED驱动电源能通过控制MOS管改变电流吗
当然可以。现在的LED驱动就是靠改变MOS导通时间的长短来改变输出电流的。你仔细分析一下开关电源的原理就会明白。
Ⅶ 如何加快mosfet管完全导通的速度
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
2.4动态性能的改进在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。
功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。
Ⅷ hip4082怎么通过pwm控制电机
PWM波是控制直流电机的
通俗的说，5V直流电机在5V的情况下肯定速度最快，在0V的情况下肯定不转了
这样电源0~5V就对应了不同的速度
问题是怎么才能实现0~5V的变化呢？
于是就用PWM波控制mos管来给直流电机供电。PWM就是一个矩形波，通过控制高电平和低电平的时间来控制MOS管导通的时间。MOS管在高电平的时候导通，就相当于5V电源直接加到电机上；MOS管在低电平的时候截止，就相当于0V电源加到电机上。
PWM又叫脉宽调制，就是控制高电平占一个周期的比例。而这个PWM波就是控制5V电源加到电机上的时间，从而控制了电机。
Ⅸ MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压的原理
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路，要么独自输出形成降压电路。（这里只是举例，还有升降压电路不讨论了。） 你可以理解为，MOSFET打开的时间越长，电感和电容中储存的能量越高，可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短，储能元件中能量约小，形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路，都是最基本的。